中华人民(mín)共和國(guó)第三机械工业部指导性技术文(wén)件
HB/Z 34--82
变形高温合金圆饼及盘件超声波检验说明书
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1使用(yòng)范围
1.1 本说明书适用(yòng)于制造航空发动机涡**用(yòng)的变形高温合金圆饼及盘件。
1.2 本说明书所规定的检验方法和验收标准是对变形高温合金圆饼及盘件超声波检验的一般性要求。对于不同的机种、不同的材料或工艺，可(kě)在此基础上作适当的补充和修改，并在有(yǒu)关的技术文(wén)件中作出说明。
2要求
2.1 与所检验圆饼或盘件同制造批的解剖件，其化學(xué)成分(fēn)和组织等均应符合各该技术条件的要求。 __
2.2 圆饼及盘件的两端面应是平整的，光洁度相当于∨6，如进行切削加工，应采用(yòng)圆头刀(dāo)具。
2.3 将圆饼、盘件置于转台上按螺旋扫查方式进行检查。圆饼必须采用(yòng)水浸法检查，水层距离的选择应符合说明书HB/Z 59《航空金属材料及零件超声纵波探伤说明书》的要求。盘件可(kě)采用(yòng)水浸法也可(kě)采用(yòng)接触法检查。
2.4 超声波探伤仪--探头的性能(néng)应符合说明书HB/Z59的要求。按本说明书进行变形高温合金圆饼或盘件的检查时，需用(yòng)的频率為(wèi)5ＭＨz。换能(néng)器的直径不得大于14mm。
2.5 為(wèi)了按说明书HB/Z59制造供调整仪器灵敏度用(yòng)的标准试块，要求订货方根据*终成品盘的尺寸及加工工艺，提供圆饼及盘件上下端面加工余量的尺寸。
2.6 為(wèi)便于确定圆饼的验收，订货方应根据*终成品盘的尺寸及加工工艺提供在圆饼上轮缘區(qū)的位置。
3圆饼的检验
本说明书要求对每一变形高温合金圆饼的每一端面均进行两次检查。**次是纵波垂直入射检查，**次是与圆饼端面法線(xiàn)成5°夹角的纵波斜入射检查。
3.1 **次检查---纵波垂直入射检查
3.1.1 按说明书HB/Z59中4.3条的规定用(yòng)供调整仪器灵敏度用(yòng)的两块标准试块调整仪器灵敏度，调整用(yòng)的标准试块中平底孔的直径為(wèi)0.8mm。任何一块的孔底反射波高均应等于或大于荧光屏饱和值的80%，在此调整情况下，仪器的动态范围不得低于16dB。
3.1.2 使圆饼在转台上转动，使波束垂直圆饼端面，沿圆饼直径方向移动探头进行从一端到另一端的垂直入射检查。扫查的線(xiàn)速度不得大于4m/min，扫查间距不得大于声束有(yǒu)效直径的1/3。
注：声束有(yǒu)效直径指的是将探头在端面上（接触法）或在规定的水层距离处（水浸法）沿直径方向移过供调整仪器灵敏度用(yòng)的标准试块中埋藏深度较小(xiǎo)的平底孔时，反射波高比*大反射波高低6dB的两点间的距离.
3.2 **次检查--在水中波束倾斜5°的纵波斜入射检查。
3.2.1 使波束垂直标准试块的端面，按本说明书第3.1.1条的规定调整仪器灵敏度。
3.2.2 使圆饼在转台上转动，保持水层距离不变，使波束与圆饼端面法線(xiàn)成5°入射角。沿圆饼直径方向移动探头，进行从一端到另一端的斜入射纵波检查。扫查的線(xiàn)速度和间距与本说明书第3.1.2条的规定相同。
4圆饼的验收
在按本说明书3.1和3.2条的规定检查时，符合下列各条的圆饼可(kě)以验收：
4.1 在轮缘部分(fēn)的任何反射信号均比埋藏深度相同，直径為(wèi)3.2mm的平底孔在垂直入射时所测得的孔底反射小(xiǎo)6dB或更多(duō)。
4.2 在其余部位有(yǒu)反射信号，但均小(xiǎo)于埋藏深度相同、直径為(wèi)1.2mm平底孔在垂直入射时所测得的孔底反射波高。
4.3 反射體(tǐ)相互间的距离在任何方向上均不小(xiǎo)于40mm，在每个圆饼上总数不超过6个，且不是長(cháng)条形的。
4.4 底面反射的波高与几何形状相同的正常材料相比没有(yǒu)明显的降低，底波位置也没有(yǒu)前移。
5圆饼的拒收与处理(lǐ)
5.1 不符合本说明书4.1-4.3条规定的圆饼，如果订货方不能(néng)确保反射體(tǐ)在以后的加工中可(kě)以除去，则应拒收。
5.2 应对底波前移或有(yǒu)明显降低的圆饼进行冶金分(fēn)析，而后由供需双方进行处理(lǐ)。
5.3 对供应方确认反射信号是由组织不均匀性造成的且在以后的加工过程中可(kě)以得到改善;以及发现有(yǒu)本说明书没有(yǒu)包括的情况时，应通知订货方共同处理(lǐ)。
6盘件的超声波检验
6.1 由已验收圆饼制成的盘件可(kě)参照本说明书进行超声波检验。
6.2 本说明书3.2条所规定的**次检查对于盘件来说应改為(wèi)检查底波损失情况。即使声束垂直入射到正常组织盘的端面上，调整仪器灵敏度使一次底反射波高為(wèi)荧光屏饱和值的80%，将受检盘件放在转台上转动，检查各部位的底反射损失情况。
6.3 不允许与几何形状相同的正常组织盘相比有(yǒu)大于6dB的底波降低。
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第三机械工业部发布 1982年5月1日实施
三机部六二一所提出 三机部六二一所起草(cǎo)