一、主要原因 （一）发射電(diàn)路部分(fēn) 1.電(diàn)源電(diàn)压E过低 2.闸流管或可(kě)控硅导電(diàn)时，内阻太大。 3.触发波重复频率太高或闸流管的负载電(diàn)阻R太大，使发射電(diàn)路中電(diàn)容C不能(néng)充電(diàn)至電(diàn)源電(diàn)压E。 4.電(diàn)容C漏電(diàn) 5.谐振式发射電(diàn)路中，谐振频率与探头的自然频率偏离太大。

                            （二）接收電(diàn)路部分(fēn) 1.電(diàn)子管或晶體(tǐ)管衰老。2.電(diàn)子管或晶體(tǐ)管工作点（偏流或偏压）不在*佳点。 3.電(diàn)源電(diàn)压低（滤波電(diàn)容漏電(diàn)） 4.调谐回路调乱，放大频率与发射频率不一致。

                             （三）超声波探伤仪探头部分(fēn) 1.晶片的灵敏度低（发射及接收的灵敏度的乘积低）。 2.晶片的自然频率与发射频率或放大频率不一致。3.晶片的银层脱落 4.保护膜片磨损。 5.保护膜片与晶片之间的油层流失（有(yǒu)的探头保护膜与晶片直接粘合）。 6.吸收块阻尼太大。 7.晶片的阻抗与探头引線(xiàn)的阻抗不匹配（如用(yòng)低阻抗的電(diàn)缆線(xiàn)连接高阻抗的石英晶片）。 8.探头在超过其居里温度的高温工作物(wù)上探测效率低。 9.探头線(xiàn)及插座头接触**。

                             （四）示波管部分(fēn) 1.偏转灵敏度低。 2.加速极電(diàn)压过高。

  二、检查方法 （一）检查发射電(diàn)路 1.用(yòng)万用(yòng)表测量超声波测厚仪電(diàn)源電(diàn)压是否过低 2.用(yòng)万用(yòng)表测量闸流管（可(kě)控硅）的屏（阳）极電(diàn)压的平均值是否偏高或偏低 3.检查電(diàn)容C是否漏電(diàn) 4.用(yòng)脉冲示波器（或用(yòng)外差式波長(cháng)计）测量发射波的频率是否符合。用(yòng)试块检查时，将探头放在试块上，是荧光屏上有(yǒu)反射波，调整发射電(diàn)路中線(xiàn)圈L的铁心，是反射波*高

                             （二）检查接收電(diàn)路 1.测量各级電(diàn)压是否正常。 2.检查调谐频率及放大倍数，有(yǒu)以下几种方法：（1）将高频信号发生器的输出端接在接收電(diàn)路的输入端，将電(diàn)压表接在检波電(diàn)路的输出端，改变高频信号发生器的频率（输出電(diàn)压不变），记下電(diàn)压表的数值。電(diàn)压*大时的频率应与发射频率符合，并记下放大倍数。如频率偏离过大，则需调整探伤仪各级線(xiàn)圈。 （2）将探头放在试块上，使荧光屏上有(yǒu)反射波，用(yòng)示波器观察各级屏极（或集電(diàn)极）的波形是否**比**大（从前级往后级），如有(yǒu)**波形不够大，说明该级有(yǒu)问题。 （3）放大電(diàn)路如系单调谐，将探头放在试块上，调各级線(xiàn)圈的铁心，使反射波*高。 3.检查電(diàn)子或晶體(tǐ)管是否衰老。 4.调整工作点（電(diàn)子管的阴极電(diàn)阻、晶體(tǐ)管的射极電(diàn)阻及基极分(fēn)压電(diàn)阻）。5.检查调谐線(xiàn)圈是否霉断。

                               （三）检查探头部分(fēn) 1.首先用(yòng)良好的探头探测，如探伤仪灵敏度提高了，说明原探头有(yǒu)问题，需换新(xīn)。 2.如晶片退化，可(kě)重新(xīn)電(diàn)极化，有(yǒu)的仪器有(yǒu)极化插座，将探头插在插座上，开机通電(diàn)十分(fēn)钟即可(kě)。如无极化插座，在探伤仪内部示波管的高压回路中，引出适当電(diàn)压即可(kě)。钛酸钡的极化電(diàn)压為(wèi)每毫米2000伏，锆钛酸铅為(wèi)每毫米4000伏。晶片初次极化时，将晶片夹在夹具中，并侵入盛有(yǒu)变压器油的容器中，并将容器放在電(diàn)炉上，加温至居里温度（钛酸钡120℃，锆钛酸铅300℃）后接通電(diàn)压，20分(fēn)钟后切断電(diàn)炉電(diàn)源，使变压器油自然冷却至室温时，将高压关掉即可(kě)。 4.晶片的压電(diàn)性能(néng)可(kě)用(yòng)简单的方法检查，即用(yòng)高灵敏度的電(diàn)子管電(diàn)压表检查，将地線(xiàn)一端压在晶片的一端，将表棒稍用(yòng)力压晶片的另一端，看電(diàn)压表指针的偏转是否大，如不偏转或偏转甚小(xiǎo)，则压電(diàn)性能(néng)不好。

                                 （四）检查示波管部分(fēn) 1.检查示波管的偏转灵敏度 将電(diàn)压表跨接于垂直偏转板，正表棒接示波管的第7脚，负表棒接第8脚，开机后记下扫描線(xiàn)在荧光屏上的位置，并记下電(diàn)压表的数值，然后调节仪器面板上的垂直位移電(diàn)位器W，使扫描線(xiàn)向上，移动A毫米，若此时電(diàn)压表指示電(diàn)压的变化為(wèi)B伏特，则偏转灵敏度=A/B 毫米/伏 正常偏转灵敏度為(wèi)0.35~0.54毫米/伏，若所得之值比正常值小(xiǎo)的多(duō)，则应换新(xīn)管。 2.检查加速极電(diàn)压 示波管的偏转灵敏度与加速极電(diàn)压成反比，若加速极電(diàn)压过高，应减低之。